什么是光刻膠光刻膠又稱光致抗蝕劑,由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。感光樹脂經(jīng)光照后,在曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反應(yīng),使得這種材料的物理性能,特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化。經(jīng)適當(dāng)?shù)娜軇┨幚?,溶去可溶性部分,得到所需圖像。光刻膠廣泛用于印刷電路和集成電路的制造以及印刷制版等過程。光刻膠的技術(shù)復(fù)雜,品種較多。根據(jù)其化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和顯影原理,可分負(fù)性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠;反之,對某些溶劑是不可溶的,經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。基于感光樹脂的化學(xué)結(jié)構(gòu),光刻膠可以分為三種類型。①光聚合型,采用烯類單體,在光作用下生成自由基,自由基再進(jìn)一步引發(fā)單體聚合,最后生成聚合物,具有形成正像的特點(diǎn)。②光分解型,采用含有疊氮醌類化合物的材料,經(jīng)光照后,會發(fā)生光分解反應(yīng),由油溶性變?yōu)樗苄裕梢灾瞥烧阅z。③光交聯(lián)型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開,并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián),形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),而起到抗蝕作用,這是一種典型的負(fù)性光刻膠。 二、光刻膠的主要技術(shù)參數(shù) a、分辨率(resolution)。區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關(guān)鍵尺寸(CD,Critical Dimension)來衡量分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小,光刻膠的分辨率越好。b、對比度(Contrast)。指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。對比度越好,形成圖形的側(cè)壁越陡峭,分辨率越好。c、敏感度(Sensitivity)。光刻膠上產(chǎn)生一個良好的圖形所需一定波長光的最小能量值(或最小曝光量)。單位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光(DUV)、極深紫外光(EUV)等尤為重要。d、粘滯性/黏度 (Viscosity)。衡量光刻膠流動特性的參數(shù)。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加;高的粘滯性會產(chǎn)生厚的光刻膠;越小的粘滯性,就有越均勻的光 刻膠厚度。光刻膠的比重(SG,Specific Gravity)是衡量光刻膠的密度的指標(biāo)。它與光刻膠中的固體含量有關(guān)。較大的比重意味著光刻膠中含有更多的固體,粘滯性更高、流動性更差。粘度的單 位:泊(poise),光刻膠一般用厘泊(cps,厘泊為1%泊)來度量。百分泊即厘泊為絕對粘滯率;運(yùn)動粘滯率定義為:運(yùn)動粘滯率=絕對粘滯率/比重。 單位:百分斯托克斯(cs)=cps/SG。e、粘附性(Adherence)。表征光刻膠粘著于襯底的強(qiáng)度。光刻膠的粘附性不足會導(dǎo)致硅片表面的圖形變形。光刻膠的粘附性必須經(jīng)受住后續(xù)工藝(刻蝕、離子注入等)。f、抗蝕性(Anti-etching)。光刻膠必須保持它的粘附性,在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。g、表面張力(Surface Tension)。液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力。光刻膠應(yīng)該具有比較小的表面張力,使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。h、存儲和傳送(Storage and Transmission)。能量(光和熱)可以激活光刻膠。應(yīng)該存儲在密閉、低溫、不透光的盒中。同時必須規(guī)定光刻膠的閑置期限和存貯溫度環(huán)境。一旦超過存儲時間或較高的溫度范圍,負(fù)膠會發(fā)生交聯(lián),正膠會發(fā)生感光延遲。 光刻膠的應(yīng)用模擬半導(dǎo)體(Analog Semiconductors)發(fā)光二極管(Light-Emitting Diodes LEDs)微機(jī)電系統(tǒng)(Microelectromechanical Systems MEMS)太陽能光伏(Solar Photovoltaics PV)微流道和生物芯片(Microfluidics & Biochips)光電子器件/光子器件(Optoelectronics/Photonics)封裝(Packaging) 乳酸乙酯在光刻膠中的應(yīng)用 1、做光刻膠的溶劑,主要是代替PMA、PM.?PMA介紹‚PM介紹 2、做光刻膠的清洗液,代替NMP.?光刻膠在IC行業(yè)的應(yīng)用,只要是有集成電路,它就會有光刻膠。另外,使用光刻膠的過程中,它有個清洗多余光刻膠的過程,這個清洗的過程,是用光刻膠蝕刻以后,用水和堿溶液清洗,但是在水和堿溶液清洗之前,有個中間的過渡過程,以前是用NMP來清洗,但是由于NMP有毒性,最近換成乳酸酯來清洗。這是在集成電路中的應(yīng)用。所以一般提供光刻膠,也會提供清洗液。所以做光刻膠和做光刻膠的清洗液用乳酸酯來替代是一個產(chǎn)品的組合。 除集成電路以外,還有一個顯示器行業(yè),LCD行業(yè),主要是往兩塊玻璃板中間灌液晶,然后使用封裝膠封裝。封裝過后需要切邊,清洗,它也需要用乳酸酯來清洗,以前用NMP,現(xiàn)在用乳酸酯替代。它的的主要好處同樣是NMP有毒,對環(huán)境有污染。乳酸酯是對人體無毒的,對環(huán)境無害的。 雖然乳酸酯的成本可能會高點(diǎn),但是乳酸酯加上清洗回收工藝,基本通過回收液精餾能回收90%左右,補(bǔ)充清洗損耗的10%,精餾和純化的過程只需要$0.5/kg左右的成本,整個回收下來它是合算的。這樣供應(yīng)給清洗廠有一個價格,拿回來回收,重新蒸發(fā),既解決了客戶的環(huán)保問題,又降低了生產(chǎn)成本,長期循環(huán)利用,是一個非常好的方案。
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以辛酸亞錫為催化劑 ,乙基纖維素( EC) 為接枝骨架 ,L2丙交酯(L2LA) 為接枝單體 ,在無溶劑條件下本體聚合制備了乙基纖維素2聚 L2乳酸接枝共聚物。利用 GPC , FTIR ,1 H NMR 對接枝共聚物進(jìn)行表征。結(jié)果
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采用熔融共混工藝制備了聚乳酸(PLA)/ 酯化纖維素 /CaCO3 復(fù)合材料,通過力學(xué)性能測試、熱重分析、凝膠滲透色譜和紅外光譜分析,研究了CaCO3 對復(fù)合材料力學(xué)性能和熱穩(wěn)定性的影響。結(jié)果表明:CaCO3…
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用一系列不同組分配比的三氯甲烷/乙醇混合溶劑分別配制質(zhì)量百分比濃度為 4 % 和 6 %的聚乳酸 (PLA) 溶液,然后在相同紡絲參數(shù)下進(jìn)行電紡成形。結(jié)果發(fā)現(xiàn),隨著乙醇在混合溶劑中體積含量的增加,聚乳
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通過靜電紡絲法制備出納米羥基磷灰石/ 絲素蛋白/ 聚己內(nèi)酯復(fù)合超細(xì)纖維 , 利用掃描電鏡、紅外光譜儀、X 射線衍射儀對納米羥基磷灰石/ 絲素蛋白/ 聚己內(nèi)酯復(fù)合超細(xì)纖維形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征 , 并進(jìn)行了拉
采用溶液澆鑄法制得聚乳酸/ 納米石墨薄片復(fù)合材料. 以 TG/ DTG為手段 ,研究了該納米復(fù)合材料在氮?dú)鈿夥罩械臒岱纸庾兓?,利用 Flynn2Wall2Ozawa(FWO) 方程和 Friedman 方程對其進(jìn)行了動力學(xué)分析.結(jié)果表
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采用乳化-溶劑揮發(fā)法制備了聚乳酸(polylactic acid,PLA)載硫酸慶大霉素復(fù)合微球。通過正交設(shè)計實驗優(yōu)選PLA載藥微球的最佳實驗條件。在此基礎(chǔ)上利用微乳法制備的鐵酸鈷(CoFe2O4)制備了PLA/ CoFe2O4
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以兩種含有不同功能團(tuán)的納米 SiO2 對聚左旋乳酸(PLLA) 進(jìn)行了共混改性 ,從而提高了 PLLA 的性能。在納米 SiO2 的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 0. 5~5 %范圍內(nèi) ,PLLA 與之是相容的 ,其中含有 —NH2 功能團(tuán)的 RNS 型納米…
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采用聚乳酸分別和純淀粉及二甲基亞砜 (DMSO) 塑化淀粉進(jìn)行共混制備了淀粉 /聚乳酸復(fù)合材料 , 通過力學(xué)性能測試 , DSC測試 , TG分析及 SEM觀察發(fā)現(xiàn)淀粉含量增加 , 材料力學(xué)性能降低 , 而經(jīng) DMSO塑化淀
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